熊自仁，湖南岳阳人，博士，讲师。
一、教育背景与工作经历
2014年9月—2018年6月，就读于唐山师范学院物理学院，获学士学位；
2019年9月—2022年6月，就读于江西师范大学物理与通信电子学院，获硕士学位，
2022年9月—2026年6月，就读于武汉大学物理科学与技术学院，获博士学位，
2026年起，在湖南理工大学物理与电子科学学院从事物理学专业教学科研工作。
二、教学情况
主讲课程：模拟集成电路设计
三、主要研究领域
目前主要从事非层状铟基 III–V 族半导体（InP、InSb）低维结构的低温可控生长研究，结合化学气相沉积、原子尺度界面表征与第一性原理计算，研究二维纳米片与一维纳米线之间的维度选择机制，以及前驱体有效供给、局域 In 富集状态和衬底界面对生长路径的调控规律；同时开展二维磁性材料异质界面的构筑及其电催化、光电性能研究。
四、代表性学术成果
[1] Z. Xiong, C. Hu, X. Luo, W. Zhou, Z. Jiang, Y. Yang, T. Yu, W. Lei, C. Yuan*; Field-Free Improvement of Oxygen Evolution Reaction in Magnetic Two-Dimensional Heterostructures, Nano Letters, 2021, 21(24), 10486–10493.
[2] Z. Xiong, Y. Wen, H. Wang, X. Zhang, L. Yin, R. Cheng, Y. Tu, J. He*; Van der Waals Epitaxial Growth of Ultrathin Indium Antimonide on Arbitrary Substrates through Low-Thermal Budget, Advanced Materials, 2024, 36(30), 2402435.
[3] Z. Xiong, Y. Wen, H. Zeng, H. Wang, L. Yin, R. Cheng, J. He*; Low-temperature Growth of Two-dimensional InP Nanosheets for Optoelectronic Applications, Applied Physics Letters, 2026, 128(23), 233101.
[4] Z. Xiong, H. Zhu, Z. Long, H. Wang, L. Gong, C. Cai, H. Zeng, Y. Tu, S. Yang, L. Yin, R. Cheng, Y. Wen, J. He*; The Synthesis of Two-dimensional Materials for Post-Moore Integrated Circuits, Frontiers of Physics, 2026, 21(4
